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大多数电脑和智能手机都采用两种芯片。一种是专为速度，另一种用于存储。一种新的芯片承诺提供速度和存储在单个封装中，为比目前的速度快1000倍的存储芯片铺平了道路。
在斯坦福大学的科学家最近公布了一种新的半导体材料不俗的业绩测试。
“这项工作虽然是根本，但前景看好，”阿龙林登贝格，材料科学与工程在斯坦福大学的副教授，在新闻发布会上说。 “在加上较低的能源利用和上千倍速度的增加预示未来内存技术的走向，远远优于任何先前展示出的道路。”
新类的半导体材料受益于称为相变存储器的特性。
因为该材料可以两相之间切换 – 利用两个不同的原子结构 – 它可被设计为执行多种功能。结晶结构是最适合用于数字信息流动。非晶结构是最适合的存储器。
从晶态到无定形结构的转变过程中的中间阶段被称为“无定形的”。因为他们将晶体的电子可以通过该非晶结构流动。
在实验中，研究人员斯坦福大学发现，他们可以使用电力的增压颠簸，电击相当于触发相的非晶。相变在一皮秒发生，相当于一秒的万亿分之一。
“从来没有人能这么小的时间尺度里探讨这些过程，”林登贝格说。
新的研究 – 在杂志物理评论快报详述 – 表明相变半导体材料不仅可以用于执行短期和长期记忆的功能，也可以在以惊人的速度切换它们的结构来回。（you78编译）
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